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Digi-Key Teilenummer C3M0120090D-ND
Verfügbare Menge 751
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

C3M0120090D

Beschreibung 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Dokumente & Medien
Datenblätter C3M0120090D
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Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie C3M™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 900V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V @ 3mA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 17,3nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 350pF @ 600V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) *
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

21:37:51 12/9/2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 6,06000 6,06
100 5,82840 582,84
500 5,68218 2.841,09

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