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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer IXFH6N100-ND
Verfügbare Menge 148
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFH6N100

Beschreibung MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXF(H,M)6N90/100
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Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

IXYS

Serie HiPerFET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1000V (1kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V @ 2,5mA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 2600pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) *
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AD (IXFH)
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

22:43:32 12/10/2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 8,39000 8,39
10 7,55400 75,54
25 6,88280 172,07
100 6,21130 621,13
250 5,70764 1.426,91
500 5,20402 2.602,01
1.000 4,53254 4.532,54

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