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Digi-Key Teilenummer IXFH6N100-ND
Verfügbare Menge 255
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFH6N100

Beschreibung MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXF(H,M)6N90/100
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Hersteller

IXYS

Serie HiPerFET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1000V (1kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V @ 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 130nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2600pF @ 25V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 180 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 2 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AD (IXFH)
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

18:14:25 1/20/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 8,54000 8,54
10 7,68800 76,88
25 7,00480 175,12
100 6,32120 632,12
250 5,80872 1.452,18
500 5,29618 2.648,09
1.000 4,61280 4.612,80

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