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Digi-Key Teilenummer IXFH6N100-ND
Verfügbare Menge 219
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFH6N100

Beschreibung MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXF(H,M)6N90/100
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Hersteller

IXYS

Serie HiPerFET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1000V (1kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5 V @ 2,5 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 130 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2600 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 180 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 2 Ohm @ 500 mA, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AD (IXFH)
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

21:54:36 2/25/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 8,31000 8,31
10 7,47800 74,78
25 6,81360 170,34
100 6,14870 614,87
250 5,65016 1.412,54
500 5,15160 2.575,80
1.000 4,48688 4.486,88

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