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Digi-Key Teilenummer IXTH200N10T-ND
Verfügbare Menge 1.794
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXTH200N10T

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXT(H,Q)200N10T
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Hersteller

IXYS

Serie TrenchMV™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 200 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 152 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 9400 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±30 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 550 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 5,5 mOhm @ 50 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

22:07:12 3/26/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 5,75000 5,75
10 5,13000 51,30
25 4,61640 115,41
100 4,20620 420,62
250 3,79580 948,95
500 3,40598 1.702,99
1.000 2,87250 2.872,50

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