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Digi-Key Teilenummer IXTY08N100D2-ND
Verfügbare Menge 1.202
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXTY08N100D2

Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 10 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXT(Y,A,P)08N100D2
Vorgestelltes Produkt Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

IXYS

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1000V (1kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 800mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id -
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 14,6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 325pF @ 25V
FET-Merkmal Mit Verarmungsschicht
Verlustleistung (max.) *
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252, (D-Pak)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 70

15:16:08 12/10/2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 2,34000 2,34
10 2,11300 21,13
25 1,88640 47,16
100 1,69760 169,76
250 1,50896 377,24
500 1,32034 660,17
1.000 1,09400 1.094,00
2.500 1,01855 2.546,37
5.000 0,98082 4.904,12

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