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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer APT25GP120BDQ1G-ND
Verfügbare Menge 509
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

APT25GP120BDQ1G

Beschreibung IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 22 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter APT25GP120BDQ1(G)
Power Products Catalog
Katalogseite 1549 (CH2011-DE PDF)
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - IGBTs - Einzeln

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie POWER MOS 7®
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 69A
Strom - gepulster Kollektor (Icm) 90A
Vce(ein) (max) @ Vge, Ic 3,9V @ 15V, 25A
Leistung - max. 417W
Schaltenergie 500µJ (Ein), 440µJ (Aus)
Eingangstyp Standard
Gate-Ladung 110nC
Td (on/off) bei 25°C 12ns/70ns
Testbedingung 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Rückwärts-Erholzeit (Trr) -
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 [B]
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND

05:16:41 12/10/2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 12,18000 12,18
10 11,06800 110,68
25 10,23840 255,96
100 9,40820 940,82
250 8,57804 2.144,51
500 8,02460 4.012,30
1.000 7,36049 7.360,49

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