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Digi-Key Teilenummer APT25GP120BDQ1G-ND
Verfügbare Menge 393
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

APT25GP120BDQ1G

Beschreibung IGBT 1200V 69A 417W TO247
Erweiterte Beschreibung IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 22 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter APT25GP120BDQ1(G)
Power Products Catalog
Katalogseite 1549 (CH2011-DE PDF)
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

Microsemi Corporation

Serie POWER MOS 7®
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 69 A
Strom - gepulster Kollektor (Icm) 90 A
Vce(ein) (max) @ Vge, Ic 3,9 V @ 15 V, 25 A
Leistung - max. 417 W
Schaltenergie 500µJ (Ein), 440µJ (Aus)
Eingangstyp Standard
Gate-Ladung 110nC
Td (on/off) bei 25°C 12ns/70ns
Testbedingung 600 V, 25 A, 5 Ohm, 15 V
Rückwärts-Erholzeit (Trr) -
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 [B]
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND

17:55:06 3/23/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 12,19000 12,19
10 11,07900 110,79
25 10,24800 256,20
100 9,41720 941,72
250 8,58620 2.146,55
500 8,03226 4.016,13
1.000 7,36751 7.367,51

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