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Digi-Key Teilenummer NVD5117PLT4GOSCT-ND
Verfügbare Menge 4.783
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

NVD5117PLT4G

Beschreibung MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Erweiterte Beschreibung P-Channel 60V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter NVD5117PL
PCN-Design/Spezifikation Mold Compound Update 25/Feb/2015
Mold Compound Revision 24/Apr/2015
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Kategorien
Hersteller

ON Semiconductor

Serie -
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 11 A (Ta), 61 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 85 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4800 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 4,1 W (Ta), 118 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 16 mOhm @ 29 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK-3
Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen NVD5117PLT4GOSCT

11:18:32 2/21/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 2,04000 2,04
10 1,83500 18,35
100 1,47470 147,47
500 1,21162 605,81
1.000 1,00392 1.003,92

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : NVD5117PLT4GOSTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 2.500 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,90746
  • Digi-Reel® ? : NVD5117PLT4GOSDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 4.783 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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