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Digi-Key Teilenummer SCT2120AFC-ND
Verfügbare Menge 887
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SCT2120AFC

Beschreibung MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Erweiterte Beschreibung N-Channel 650V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2120AF Datasheet
Anwendungshinweis(e) SiC Power Devices and Modules
Produktschulungsmodul(e) SiC MOSFETs
Videodatei ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
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Kategorien
Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 29 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 3,3mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 61nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1200pF @ 500V
Vgs (Max.) +22V, -6V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 165 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 156 mOhm @ 10A, 18V
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1.000

19:00:26 1/22/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 8,71000 8,71
100 8,00760 800,76

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