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Digi-Key Teilenummer SCT2450KEC-ND
Verfügbare Menge 346
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SCT2450KEC

Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2450KE
Anwendungshinweis(e) SiC Power Devices and Modules
Produktschulungsmodul(e) SiC MOSFETs
Videodatei ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Vorgestelltes Produkt 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
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Kategorien
Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 10 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 900 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 27 nC @ 18 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 463 pF @ 800 V
Vgs (Max.) +22 V, -6 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 85 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 585 mOhm @ 3 A, 18 V
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 360

22:36:09 3/25/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 8,25000 8,25
10 7,42600 74,26
25 6,76640 169,16
100 6,10630 610,63
250 5,61116 1.402,79
500 5,11608 2.558,04
1.000 4,45594 4.455,94

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