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Digi-Key Teilenummer 497-8791-5-ND
Verfügbare Menge 540
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

STP42N65M5

Beschreibung MOSFET N-CH 650V 33A TO-220
Erweiterte Beschreibung N-Channel 650V 33A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 16 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter STx42N65M5
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STP42N65M5 View All Specifications
Produktschulungsmodul(e) 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
EDA/CAD-Modelle ? Herunterladen von Ultra Librarian
Katalogseite 1457 (CH2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ V
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 33 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 100 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4650 pF @ 100 V
Vgs (Max.) ±25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 190 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 79 mOhm @ 16,5 A, 10 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
Kits
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen 497-8791-5

21:02:39 2/24/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 9,91000 9,91
10 8,95800 89,58
100 7,41660 741,66
500 6,45832 3.229,16
1.000 5,62499 5.624,99

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