Zu Favoriten hinzufügen
Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer 497-6197-1-ND
Verfügbare Menge 403
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

STQ1NK80ZR-AP

Beschreibung MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
Erweiterte Beschreibung N-Channel 800V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 7 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter STx1NK80ZR(R-AP,-1)
Vorgestelltes Produkt Power MOSFETs
Katalogseite 1459 (CH2011-DE PDF)
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 800V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 300mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V @ 50µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 7,7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 160pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 16 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3
Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (geformte Anschlüsse)
 
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen 497-6197-1

18:13:46 1/17/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,70000 0,70
10 0,61600 6,16
100 0,47270 47,27
500 0,37368 186,84
1.000 0,29895 298,95

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band & Box (TB) ? : 497-6197-3-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,26304
Feedback senden