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Digi-Key Teilenummer 497-12344-1-ND
Verfügbare Menge 2.874
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

STQ2HNK60ZR-AP

Beschreibung MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
Erweiterte Beschreibung N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 7 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter STx2HNK60Z(x)
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STQ2HNK60ZR-AP View All Specifications
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Hersteller

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 500mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V @ 50µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 280pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 4,8 Ohm @ 1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3
Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (geformte Anschlüsse)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1

16:07:49 1/16/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,76000 0,76
10 0,66500 6,65
100 0,51020 51,02
500 0,40334 201,67
1.000 0,32268 322,68

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