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Digi-Key Teilenummer 497-12344-3-ND
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Hersteller-Teilenummer

STQ2HNK60ZR-AP

Beschreibung MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
Erweiterte Beschreibung N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 16 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter STx2HNK60Z(x)
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STQ2HNK60ZR-AP View All Specifications
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Hersteller

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Verpackung ? Band & Box (TB) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 500 mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5 V @ 50 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 15 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 280 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±30 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 4,8 Ohm @ 1 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3
Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (geformte Anschlüsse)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 2.000
Andere Namen 497-12344-3
STQ2HNK60ZRAP

23:03:41 3/28/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
2.000 0,29320 586,39
6.000 0,27298 1.637,86
10.000 0,26287 2.628,66

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