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Digi-Key Teilenummer TK62N60XS1F-ND
Verfügbare Menge 289
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

TK62N60X,S1F

Beschreibung MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter TK62N60X
Vorgestelltes Produkt DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
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Kategorien
Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV-H
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 61,8 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5 V @ 3,1 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 135 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6500 pF @ 300 V
Vgs (Max.) ±30 V
FET-Merkmal Superjunction
Verlustleistung (max.) 400 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 40 mOhm @ 21 A, 10 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30
Andere Namen TK62N60X,S1F(S
TK62N60XS1F

17:51:28 3/23/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 10,15000 10,15
10 9,13200 91,32
25 8,32080 208,02
120 7,50908 901,09
270 6,90026 1.863,07
510 6,29139 3.208,61

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