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Digi-Key Teilenummer TK62N60XS1F-ND
Verfügbare Menge 468
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

TK62N60X,S1F

Beschreibung MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter TK62N60X
Vorgestelltes Produkt DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
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Kategorien
Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 61,8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V @ 3,1mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 135nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6500pF @ 300V
Vgs (Max.) ±30V
FET-Merkmal Superjunction
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 40 mOhm @ 21A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30
Andere Namen TK62N60X,S1F(S
TK62N60XS1F

18:52:12 1/18/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 9,83000 9,83
10 8,84400 88,44
25 8,05720 201,43
100 7,27130 727,13
250 6,68168 1.670,42

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