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Digi-Key Teilenummer IRF630PBF-ND
Verfügbare Menge 6.648
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRF630PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Erweiterte Beschreibung N-Channel 200V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 9 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 43 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 800 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 74 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 400 mOhm @ 5,4 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen *IRF630PBF

04:56:46 3/29/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 1,02000 1,02
10 0,91200 9,12
25 0,86600 21,65
100 0,71130 71,13
250 0,66492 166,23
500 0,58758 293,79
1.000 0,46388 463,88
2.500 0,43296 1.082,39
5.000 0,41131 2.056,54

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