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Digi-Key Teilenummer IRF640PBF-ND
Verfügbare Menge 4.701
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRF640PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Erweiterte Beschreibung N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Masse ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 70nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1300pF @ 25V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 180 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen *IRF640PBF

05:11:54 1/19/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 1,44000 1,44
10 1,28800 12,88
25 1,22280 30,57
100 1,00440 100,44
250 0,93892 234,73
500 0,82974 414,87
1.000 0,65506 655,06
2.500 0,61139 1.528,48
5.000 0,58082 2.904,11

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