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Digi-Key Teilenummer SI2315BDS-T1-E3CT-ND
Verfügbare Menge 8.277
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2315BDS-T1-E3

Beschreibung MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Erweiterte Beschreibung P-Channel 12V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 16 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2315BDS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1580 (CH2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 12V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 3 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 900 mV @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 15 nC @ 4,5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 715 pF @ 6 V
Vgs (Max.) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 750 mW (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 50 mOhm @ 3,85 A, 4,5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2315BDS-T1-E3CT

22:16:43 2/19/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,47000 0,47
10 0,37500 3,75
25 0,34320 8,58
100 0,25540 25,54
250 0,23144 57,86
500 0,19156 95,78
1.000 0,14366 143,66

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2315BDS-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 6.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,12786
  • Digi-Reel® ? : SI2315BDS-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 8.277 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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