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Digi-Key Teilenummer SI2316BDS-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 49.256
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2316BDS-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Erweiterte Beschreibung N-Channel 30V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 16 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2316BDS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1577 (CH2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 4,5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 9,6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 350pF @ 15V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,25 W (Ta), 1,66 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 50 mOhm @ 3,9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2316BDS-T1-GE3CT

21:57:56 1/19/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,60000 0,60
10 0,50800 5,08
25 0,47400 11,85
100 0,37920 37,92
250 0,35212 88,03
500 0,29796 148,98
1.000 0,23025 230,25

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2316BDS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 48.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,20381
  • Digi-Reel® ? : SI2316BDS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 49.306 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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