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Digi-Key Teilenummer SI2318CDS-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 18.221
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2318CDS-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
Erweiterte Beschreibung N-Channel 40V 5.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si2318CDS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 5,6 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 9 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 340 pF @ 20 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,25 W (Ta), 2,1 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 42 mOhm @ 4,3 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2318CDS-T1-GE3CT

18:45:27 3/29/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,44000 0,44
10 0,36000 3,60
25 0,32920 8,23
100 0,24510 24,51
250 0,22208 55,52
500 0,18378 91,89
1.000 0,13782 137,82

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2318CDS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 18.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,12266
  • Digi-Reel® ? : SI2318CDS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 18.221 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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