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Digi-Key Teilenummer SI2323DDS-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 7.926
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2323DDS-T1-GE3

Beschreibung MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Erweiterte Beschreibung P-Channel 20V 5.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2323DDS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN-Montage/Herkunft Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 5,3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 36nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 1160pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 39 mOhm @ 4,1A, 4,5V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2323DDS-T1-GE3CT

02:09:48 1/18/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,56000 0,56
10 0,47300 4,73
25 0,44160 11,04
100 0,35320 35,32
250 0,32800 82,00
500 0,27752 138,76
1.000 0,21445 214,45

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2323DDS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 6.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,18983
  • Digi-Reel® ? : SI2323DDS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 7.926 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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