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Digi-Key Teilenummer SI3460BDV-T1-E3CT-ND
Verfügbare Menge 12.752
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI3460BDV-T1-E3

Beschreibung MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Erweiterte Beschreibung N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI3460BDV
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1577 (CH2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 8 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 24 nC @ 8 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 860 pF @ 10 V
Vgs (Max.) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2 W (Ta), 3,5 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 27 mOhm @ 5,1 A, 4,5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI3460BDV-T1-E3CT

02:44:47 2/22/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,77000 0,77
10 0,68200 6,82
25 0,64080 16,02
100 0,52310 52,31
250 0,48584 121,46
500 0,41350 206,75
1.000 0,33079 330,79

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI3460BDV-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 12.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,29105
  • Digi-Reel® ? : SI3460BDV-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 12.752 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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