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Digi-Key Teilenummer SI3493BDV-T1-E3CT-ND
Verfügbare Menge 11.208
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI3493BDV-T1-E3

Beschreibung MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Erweiterte Beschreibung P-Channel 20V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI3493BDV
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1581 (CH2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 8 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 900 mV @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 43,5 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1805 pF @ 10 V
Vgs (Max.) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,08 W (Ta), 2,97 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 27,5 mOhm @ 7 A, 4,5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI3493BDV-T1-E3CT

22:15:00 2/19/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,63000 0,63
10 0,54900 5,49
25 0,51560 12,89
100 0,42090 42,09
250 0,39096 97,74
500 0,33272 166,36
1.000 0,26617 266,17

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI3493BDV-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 9.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,23419
  • Digi-Reel® ? : SI3493BDV-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 11.208 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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