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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SI4435DDY-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 20.005
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI4435DDY-T1-GE3

Beschreibung MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
Erweiterte Beschreibung P-Channel 30V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 17 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si4435DDY
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1581 (CH2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 11,4 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 50 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1350 pF @ 15 V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5 W (Ta), 5 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 24 mOhm @ 9,1 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI4435DDY-T1-GE3CT

22:43:06 2/19/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,61000 0,61
10 0,53300 5,33
25 0,50080 12,52
100 0,40870 40,87
250 0,37964 94,91
500 0,32310 161,55
1.000 0,25848 258,48

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI4435DDY-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 20.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,22742
  • Digi-Reel® ? : SI4435DDY-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 20.005 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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