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Digi-Key Teilenummer SI7172DP-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 3.240
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI7172DP-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Erweiterte Beschreibung N-Channel 200V 25A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI7172DP
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1579 (CH2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 25 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 77nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2250pF @ 100V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 5,4 W (Ta), 96 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 70 mOhm @ 5,9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI7172DP-T1-GE3CT

20:38:33 1/22/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 2,66000 2,66
10 2,38400 23,84
25 2,24920 56,23
100 1,91610 191,61
250 1,79924 449,81
500 1,57434 787,17
1.000 1,30445 1.304,45

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI7172DP-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 1,17911
  • Digi-Reel® ? : SI7172DP-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 3.240 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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