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Digi-Key Teilenummer SI7386DP-T1-E3CT-ND
Verfügbare Menge 10.884
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI7386DP-T1-E3

Beschreibung MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Erweiterte Beschreibung N-Channel 30V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si7386DP
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN-Montage/Herkunft Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Katalogseite 1578 (CH2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 12 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 18nC @ 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds -
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,8 W (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 7 mOhm @ 19A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI7386DP-T1-E3CT

18:15:30 1/21/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 1,13000 1,13
10 1,01500 10,15
25 0,96320 24,08
100 0,79130 79,13
250 0,73968 184,92
500 0,65366 326,83
1.000 0,51605 516,05

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI7386DP-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 9.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,46761
  • Digi-Reel® ? : SI7386DP-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 10.884 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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