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Digi-Key Teilenummer SIHB33N60E-GE3-ND
Verfügbare Menge 1.018
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SIHB33N60E-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Masse ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 99 mOhm @ 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 3508pF @ 100V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) *
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-263AB
Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1.000
Andere Namen SIHB33N60EGE3

09:21:17 12/10/2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 5,55000 5,55
10 4,98300 49,83
25 4,71080 117,77
100 4,08270 408,27
250 3,87332 968,33
500 3,47552 1.737,76
1.000 2,93115 2.931,15
2.500 2,78460 6.961,49

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