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Digi-Key Teilenummer SIHB33N60E-GE3-ND
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Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SIHB33N60E-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Erweiterte Beschreibung N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Masse ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 33 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 150 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3508 pF @ 100 V
Vgs (Max.) ±30V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 278 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 99 mOhm @ 16,5 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK
Gehäuse / Hülle TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-263AB
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1.000
Andere Namen SIHB33N60EGE3

01:45:44 2/21/2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 5,49000 5,49
10 4,93300 49,33
25 4,66360 116,59
100 4,04160 404,16
250 3,83428 958,57
500 3,44050 1.720,25
1.000 2,90163 2.901,63
2.500 2,75655 6.891,37

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