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Référence Digi-Key C2M0160120D-ND
Quantité disponible 2.341
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

C2M0160120D

Description MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 17.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques C2M0160120D
Produit représenté Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série Z-FET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 500µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 32,6nC à 20V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 527pF à 800V
Vgs (Max) +25V, -10V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 196 mOhms à 10A, 20V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
Le produit qui assorti
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

22:32:27 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,00000 8,00
100 7,68800 768,80
500 7,49844 3.749,22

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