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Référence Digi-Key C2M0160120D-ND
Quantité disponible 674
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

C2M0160120D

Description MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques C2M0160120D
Produit représenté Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série Z-FET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Carbure de silicium (SiC)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,7A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 196 mOhms à 10A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 500µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 32,6nC à 20V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 527pF à 800V
Puissance max. 125W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247-3
 
Le produit qui assorti
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

10:15:39 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,86000 7,86
100 7,55420 755,42
500 7,36796 3.683,98

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