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Présentation des produits
Référence Digi-Key C2M0280120D-ND
Quantité disponible 3.818
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

C2M0280120D

Description MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques C2M0280120D
Produit représenté Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série Z-FET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 370 mOhms à 6A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 1,25mA (typ.)
Charge de porte (Qg) à Vgs 20,4nC à 20V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 259pF à 1000V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247-3
 
pour l'utiliser de
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

09:34:43 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,12000 5,12
100 4,92300 492,30
500 4,79802 2.399,01

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