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Référence Digi-Key C2M0280120D-ND
Quantité disponible 2.588
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

C2M0280120D

Description MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques C2M0280120D
Produit représenté Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série Z-FET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V
Vgs(th) (max.) à Id 2,8 V à 1,25 mA (typ.)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20,4 nC à 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 259 pF à 1000 V
Vgs (max.) +25 V, -10 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 62,5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 370 mOhms à 6 A, 20 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
pour l'utiliser de
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

18:02:16 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,13000 5,13
100 4,92770 492,77
500 4,80260 2.401,30

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