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Référence Digi-Key C2M1000170D-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

C2M1000170D

Description MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
Description étendue N-Channel 1700V (1.7kV) 4.9A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques C2M1000170D
Module(s) de formation sur le produit Second-Generation C2M1000170D Silicon Carbide MOSFET
Produit représenté Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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종류
Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série Z-FET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1700V (1,7kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 100µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 13nC à 20V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 191pF à 1000V
Vgs (Max) +25V, -10V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 69W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,1 Ohms à 2A, 20V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
pour l'utiliser de
Le produit qui assorti
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

23:34:56 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,04000 5,04
100 4,84710 484,71
500 4,72702 2.363,51

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