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Présentation des produits
Référence Digi-Key C2M1000170D-ND
Quantité disponible 683
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

C2M1000170D

Description MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques C2M1000170D
Module(s) de formation sur le produit Second-Generation C2M1000170D Silicon Carbide MOSFET
Produit représenté Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série Z-FET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Carbure de silicium (SiC)
Tension drain-source (Vdss) 1700V (1,7kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,9A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,1 Ohms à 2A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 100µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 13nC à 20V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 191pF à 1000V
Puissance max. 69W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247-3
 
pour l'utiliser de
Le produit qui assorti
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

06:21:22 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,95000 4,95
100 4,76270 476,27
500 4,64476 2.322,38

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