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Référence Digi-Key C4D10120E-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

C4D10120E

Description DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
Description étendue Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Surface Mount TO-252-2
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 4 semaines
Documents et supports
Fiches techniques C4D10120E
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Catégories
Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série Z-Rec®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type diode Carbure de silicium Schottky
Tension - inverse (Vr) (max.) 1200 V (1,2 kV)
Courant - moyen, redressé (Io) 10 A (CC)
Tension - directe (Vf) (max.) à If 1,8 V à 10 A
Vitesse Pas de temps de recouvrement > 500 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Courant - de fuite, inverse à Vr 250 µA à 1200 V
Capacité à Vr, F 754 pF à 0 V, 1 MHz
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches + languette), SC-63
Boîtier fournisseur TO-252-2
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75

16:18:11 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 10,51000 10,51
100 8,75720 875,72
500 7,50618 3.753,09
1.000 6,57257 6.572,57

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : C4D10120E-TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2.500  Non stocké ?
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 6,57257
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