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Référence Digi-Key FDA59N30-ND
Quantité disponible 1.073
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDA59N30

Description MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
Description étendue N-Channel 300V 59A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDA59N30
Conception/spécification PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 300V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 59 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4670 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 500 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 56 mOhms à 29,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PN
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

11:58:49 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,67000 3,67
10 3,29100 32,91
100 2,69670 269,67
500 2,29568 1.147,84
1.000 1,93612 1.936,12

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