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Présentation des produits
Référence Digi-Key RFD3055LE-ND
Quantité disponible 9.642
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 25.200
Fabricant

Référence fabricant

RFD3055LE

Description MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Description étendue N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251AA
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques RFD3055LE/LESM, RFP3055LE
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1524 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11,3nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 350pF à 25V
Vgs (max.) ±16V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 38 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 107 mOhms à 8A, 5V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-251AA
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75

02:06:24 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,72000 0,72
10 0,63500 6,35
100 0,48710 48,71
500 0,38508 192,54
1.000 0,30806 308,06

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