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Référence Digi-Key IXFH6N100-ND
Quantité disponible 255
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH6N100

Description MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(H,M)6N90/100
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 2,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2600pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 180 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 Ohms à 500mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

08:30:45 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,54000 8,54
10 7,68800 76,88
25 7,00480 175,12
100 6,32120 632,12
250 5,80872 1.452,18
500 5,29618 2.648,09
1.000 4,61280 4.612,80

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