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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFH6N100-ND
Quantité disponible 148
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH6N100

Description MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(H,M)6N90/100
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 Ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 2,5mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 130nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2600pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

08:52:47 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,39000 8,39
10 7,55400 75,54
25 6,88280 172,07
100 6,21130 621,13
250 5,70764 1.426,91
500 5,20402 2.602,01
1.000 4,53254 4.532,54

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