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Référence Digi-Key IXTA3N120CT-ND
Quantité disponible 3.057
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTA3N120TRL

Description MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)3N120
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 Ohms à 1,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-263 (IXTA)
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
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  • IXTA3N120-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IXTA3N120CT

01:00:28 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,49000 6,49
10 5,79400 57,94
25 5,21440 130,36
100 4,75100 475,10
250 4,28744 1.071,86

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IXTA3N120TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 800
  • Quantité disponible: 2.400 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 3,37504
  • Digi-Reel® ? : IXTA3N120DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 3.057 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
  • Tube ? : IXTA3N120-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 300 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 6,30000
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