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Référence Digi-Key IXTA3N120CT-ND
Quantité disponible 1.830
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTA3N120TRL

Description MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)3N120
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 Ohms à 1,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-263 (IXTA)
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IXTA3N120CT

20:23:15 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,29000 6,29
10 5,61000 56,10
25 5,04920 126,23
100 4,60040 460,04
250 4,15160 1.037,90

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IXTA3N120TR-ND
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  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1.830 - Immédiatement
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  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 261 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 6,10000
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