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Référence Digi-Key IXTQ52P10P-ND
Quantité disponible 1.439
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTQ52P10P

Description MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P
Description étendue P-Channel 100V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,H,P,Q)52P10P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série PolarP™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 52 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2845pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 50 mOhms à 500mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

00:57:10 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,45000 5,45
10 4,87100 48,71
25 4,38400 109,60
100 3,99420 399,42
250 3,60456 901,14
500 3,23434 1.617,17
1.000 2,72775 2.727,75
2.500 2,59136 6.478,41

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