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Référence Digi-Key IXTY01N100-ND
Quantité disponible 3.058
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTY01N100

Description MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(U,Y)01N100
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 25 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,9 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 54 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 25 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 80 Ohms à 100 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-252AA
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches + languette), SC-63
 
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  • Prix unitaire 2,45000
  • IXTY01N100D-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 70
Autres Noms 490458
IXTY01N100CT
IXTY01N100CT-ND

10:54:50 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,91000 1,91
10 1,72100 17,21
25 1,53640 38,41
100 1,38280 138,28
250 1,22908 307,27
500 1,07546 537,73
1.000 0,89109 891,09
2.500 0,82964 2.074,09
5.000 0,79891 3.994,54

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