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Référence Digi-Key IXTY08N100D2-ND
Quantité disponible 1.214
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTY08N100D2

Description MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(Y,A,P)08N100D2
Produit représenté Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Mode de déplétion
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800mA (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 21 Ohms à 400mA, 0V
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de porte (Qg) à Vgs 14,6nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 325pF à 25V
Puissance max. 60W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches+languette), SC-63
Boîtier fournisseur TO-252, (D-Pak)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 70

03:00:20 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,34000 2,34
10 2,11300 21,13
25 1,88640 47,16
100 1,69760 169,76
250 1,50896 377,24
500 1,32034 660,17
1.000 1,09400 1.094,00
2.500 1,01855 2.546,37
5.000 0,98082 4.904,12

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