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Référence Digi-Key IXTY08N100D2-ND
Quantité disponible 2.151
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTY08N100D2

Description MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(Y,A,P)08N100D2
Produit représenté Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800 mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14,6 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 325 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) 60 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 21 Ohms à 400 mA, 0 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-252, (D-Pak)
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches + languette), SC-63
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 70

13:13:22 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,32000 2,32
10 2,09100 20,91
25 1,86720 46,68
100 1,68050 168,05
250 1,49376 373,44
500 1,30704 653,52
1.000 1,08298 1.082,98
2.500 1,00829 2.520,72
5.000 0,97094 4.854,72

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