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Référence Digi-Key 1N5811US-ND
Quantité disponible 2.607
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

1N5811US

Description DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Description étendue Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Statut sans plomb / Statut RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques 1N5807,09,11 US/URS
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type diode Standard
Tension - inverse (Vr) (max.) 150 V
Courant - moyen, redressé (Io) 3A
Tension - directe (Vf) (max.) à If 875 mV à 4 A
Vitesse Récupération rapide =< 500 ns, > 200 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 30ns
Courant - de fuite, inverse à Vr 5µA à 50V
Capacité à Vr, F 60pF à 10V, 1MHz
Type de montage Montage en surface
Boîtier SQ-MELF, B
Boîtier fournisseur B, SQ-MELF
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1

13:46:35 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 10,32000 10,32
10 9,28600 92,86
25 8,46080 211,52
100 7,63520 763,52
250 7,01612 1.754,03
500 6,39706 3.198,53
1.000 5,57164 5.571,64

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