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Référence Digi-Key APT10SCD120B-ND
Quantité disponible 923
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT10SCD120B

Description Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT10SCD120B
Produit représenté SiC Schottky Barrier Diodes
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Diodes - Redresseurs - Simples

Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type diode Carbure de silicium Schottky
Tension - inverse (Vr) (max.) 1200V (1,2kV)
Courant - moyen, redressé (Io) 36A (CC)
Tension - directe (Vf) (max.) à If 1,8V à 10A
Vitesse Pas de temps de recouvrement > 500 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Courant - de fuite, inverse à Vr 200µA à 1200V
Capacité à Vr, F 600pF à 0V, 1MHz
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-2
Boîtier fournisseur TO-247
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1

02:33:59 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 10,48000 10,48
10 9,43000 94,30
25 8,59200 214,80
100 7,75360 775,36
250 7,12492 1.781,23
500 6,49626 3.248,13
1.000 5,65803 5.658,03

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