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Référence Digi-Key APT10SCD120B-ND
Quantité disponible 804
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT10SCD120B

Description DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
Description étendue Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT10SCD120B
Produit représenté SiC Schottky Barrier Diodes
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type diode Carbure de silicium Schottky
Tension - inverse (Vr) (max.) 1200 V (1,2 kV)
Courant - moyen, redressé (Io) 36A (CC)
Tension - directe (Vf) (max.) à If 1,8 V à 10 A
Vitesse Pas de temps de recouvrement > 500 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Courant - de fuite, inverse à Vr 200µA à 1200V
Capacité à Vr, F 600pF à 0V, 1MHz
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-2
Boîtier fournisseur TO-247
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1

13:29:07 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 10,66000 10,66
10 9,59700 95,97
25 8,74400 218,60
100 7,89090 789,09
250 7,25108 1.812,77
500 6,61130 3.305,65
1.000 5,75822 5.758,22

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