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Présentation des produits
Référence Digi-Key APT25GP120BDQ1G-ND
Quantité disponible 509
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT25GP120BDQ1G

Description IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT25GP120BDQ1(G)
Power Products Catalog
Page de catalogue 1549 (CH2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - IGBT - Simples

Fabricant

Microsemi Corporation

Série POWER MOS 7®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type IGBT PT
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 69A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 90A
Vce(on) (max) à Vge, Ic 3,9V à 15V, 25A
Puissance max. 417W
Énergie de commutation 500µJ (on), 440µJ (arrêt)
Type d’entrée Standard
Charge de grille 110nC
Td (on/off) à 25°C 12ns/70ns
Condition de test 600V, 25A, 5 Ohms, 15V
Temps de recouvrement inverse (trr) -
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247 [B]
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND

01:16:11 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,18000 12,18
10 11,06800 110,68
50 10,23820 511,91
100 9,40820 940,82
250 8,57804 2.144,51
500 8,02460 4.012,30
1.000 7,36049 7.360,49
2.500 7,08378 17.709,46
5.000 6,86241 34.312,07

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