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Référence Digi-Key APT7M120B-ND
Quantité disponible 3.678
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT7M120B

Description MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 8A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT7M120(B,S)
Power Products Catalog
Page de catalogue 1550 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2565 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 335 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,5 Ohms à 3 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247 [B]
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT7M120BMI
APT7M120BMI-ND

12:50:53 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,44000 6,44
10 5,79200 57,92
25 5,27720 131,93
100 4,76250 476,25
250 4,37632 1.094,08
500 3,99016 1.995,08
1.000 3,47529 3.475,29

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