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Référence Digi-Key APT7M120B-ND
Quantité disponible 3.712
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT7M120B

Description MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 8A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT7M120(B,S)
Power Products Catalog
Page de catalogue 1550 (CH2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 80nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2565pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 335W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,5 Ohms à 3A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247 [B]
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT7M120BMI
APT7M120BMI-ND

23:35:10 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,55000 6,55
10 5,88900 58,89
25 5,36560 134,14
100 4,84220 484,22
250 4,44956 1.112,39
500 4,05694 2.028,47
1.000 3,53346 3.533,46
2.500 3,40259 8.506,47

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