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Référence Digi-Key NVD5117PLT4GOSCT-ND
Quantité disponible 5.396
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

NVD5117PLT4G

Description MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Description étendue P-Channel 60V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques NVD5117PL
Conception/spécification PCN Mold Compound Update 25/Feb/2015
Mold Compound Revision 24/Apr/2015
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Ta), 61A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4800pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 4,1W (Ta), 118W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16 mOhms à 29A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur DPAK-3
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches+languette), SC-63
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms NVD5117PLT4GOSCT

16:49:40 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,10000 2,10
10 1,88600 18,86
100 1,51610 151,61
500 1,24562 622,81
1.000 1,03209 1.032,09

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : NVD5117PLT4GOSTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2.500
  • Quantité disponible: 2.500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,93292
  • Digi-Reel® ? : NVD5117PLT4GOSDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 5.396 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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