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Présentation des produits
Référence Digi-Key SCT2120AFC-ND
Quantité disponible 987
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCT2120AFC

Description MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT2120AF Datasheet
Note(s) d’application SiC Power Devices and Modules
Fichier vidéo ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 156 mOhms à 10A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 3,3mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 61nC à 18V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1200pF à 500V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1.000

11:07:10 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,55000 8,55
100 7,86830 786,83

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