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Référence Digi-Key 497-13779-5-ND
Quantité disponible 1.258
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Fabricant

Référence fabricant

STP13N80K5

Description MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Description étendue N-Channel 800V 12A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques ST(B,F,P,W)13N80K5
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH5™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 870 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-13779-5

04:59:03 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,47000 4,47
10 4,02100 40,21
100 3,29400 329,40
500 2,80416 1.402,08
1.000 2,36495 2.364,95

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