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Référence Digi-Key 497-13779-5-ND
Quantité disponible 1.233
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP13N80K5

Description MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Description étendue N-Channel 800V 12A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques ST(B,F,P,W)13N80K5
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH5™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 100 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 870 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-13779-5

19:08:10 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,63000 4,63
10 4,15200 41,52
100 3,40180 340,18
500 2,89588 1.447,94
1.000 2,44232 2.442,32

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