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Référence Digi-Key 497-8446-5-ND
Quantité disponible 1.481
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP25NM60ND

Description MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
Description étendue N-Channel 600V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx25NM60ND
Autre(s) document(s) connexe(s) STP25NM60ND View All Specifications
Page de catalogue 1457 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série FDmesh™ II
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 80nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2400pF à 50V
Vgs (Max) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 160 mOhms à 10,5A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-8446-5

00:34:24 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,59000 6,59
10 5,95900 59,59
100 4,93390 493,39
500 4,29644 2.148,22
1.000 3,74207 3.742,07

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