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Référence Digi-Key 497-12123-ND
Quantité disponible 1.280
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP6N120K3

Description MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 6A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 13 semaines
Documents et supports
Fiches techniques ST(FW,P,W)6N120K3
Autre(s) document(s) connexe(s) STP6N120K3 View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH3™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 100 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 34 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1050 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,4 Ohms à 2,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-12123

07:40:41 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,49000 5,49
10 4,93100 49,31
100 4,03970 403,97
500 3,43888 1.719,44
1.000 2,90025 2.900,25

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