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Référence Digi-Key 497-12344-1-ND
Quantité disponible 2.874
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STQ2HNK60ZR-AP

Description MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
Description étendue N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx2HNK60Z(x)
Autre(s) document(s) connexe(s) STQ2HNK60ZR-AP View All Specifications
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Categories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 500mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 50µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 15nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 280pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,8 Ohms à 1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1

07:19:38 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,76000 0,76
10 0,66500 6,65
100 0,51020 51,02
500 0,40334 201,67
1.000 0,32268 322,68

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