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Référence Digi-Key 497-12344-3-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

STQ2HNK60ZR-AP

Description MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
Description étendue N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx2HNK60Z(x)
Autre(s) document(s) connexe(s) STQ2HNK60ZR-AP View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Bande et boîte ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 500 mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 50 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 280 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,8 Ohms à 1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2.000
Autres Noms 497-12344-3
STQ2HNK60ZRAP

15:24:04 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
2.000 0,29320 586,39
6.000 0,27298 1.637,86
10.000 0,26287 2.628,66

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