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Référence Digi-Key 497-3255-5-ND
Quantité disponible 434
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STW11NK100Z

Description MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 8.3A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STW11NK100Z
Autre(s) document(s) connexe(s) STW11NK100Z View All Specifications
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Page de catalogue 1457 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 100 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 162 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3500 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 230 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,38 Ohms à 4,15 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-3255-5

11:53:32 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,80000 5,80
10 5,20100 52,01
100 4,26190 426,19
500 3,62810 1.814,05
1.000 3,05983 3.059,83

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