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Référence Digi-Key 497-4420-5-ND
Quantité disponible 700
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STW11NM80

Description MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Description étendue N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx11NM80
Autre(s) document(s) connexe(s) STW11NM80 View All Specifications
Page de catalogue 1457 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43,6 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1630 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 400 mOhms à 5,5 A, 10 V
Température d’utilisation -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Référence Digi-Key Référence fabricant Fabricant Conditionnement Quantité disponible Prix unitaire La quantité minimum à commander est de
1026-STW11NM80-CHP STW11NM80 STMicroelectronics Tube ? 0
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Colis standard ? 30
Autres Noms 497-4420-5

11:18:02 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,60000 5,60
10 5,05800 50,58
100 4,18780 418,78
500 3,64664 1.823,32
1.000 3,17611 3.176,11

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