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Présentation des produits
Référence Digi-Key TK55S10N1LQCT-ND
Quantité disponible 1.368
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK55S10N1,LQ

Description MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Description étendue N-Channel 100V 55A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK55S10N1
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série U-MOSVIII-H
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 500 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3280 pF à 10 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 157 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6,5 mOhms à 27,5 A, 10 V
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur DPAK+
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches + languette), SC-63
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms TK55S10N1LQCT

18:16:37 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,60000 2,60
10 2,34500 23,45
25 2,09400 52,35
100 1,88450 188,45
250 1,67512 418,78
500 1,46574 732,87
1.000 1,21446 1.214,46

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : TK55S10N1LQTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2.000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 1,09778
  • Digi-Reel® ? : TK55S10N1LQDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1.368 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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